产品制造工艺总方案_产品制造工艺
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上海积塔半导体申请存储器及其制造方法专利,简化工艺流程本发明提供了一种存储器及其制造方法。本发明于后道制程中，存储单元的底电极直接使用形成第一接触结构所沉积并平坦化后留下的金属层，不仅可以简化工艺流程，且可以改善接触结构接缝对于良率的影响，且可以增加存储单元密度并降低存储单元间漏电风险。进一步的，存储单元的底还有呢？
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南通深南电路申请一种电路板的加工方法专利,有效简化制造工艺提升...在凹槽中设置散热件。通过上述方式，本申请中的电路板的加工方法有效避免了将不同芯板分开配铣导致各凹槽外形不一致、各凹槽叠层错位的问题出现，同时还避免了在散热件的固定过程中人工贴胶带的流程，从而有效简化了电路板整体制造工艺，并提升了制造效率，降低了制造实现成本说完了。
上海新微申请一种T型通孔结构及其制造方法专利,优化了工艺流程金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种T型通孔结构及其制造方法”的专是什么。 去除其余阻挡层，形成T型通孔结构。通过上述方式，本发明采用单面刻蚀工艺使用一层掩膜达到了双面刻蚀工艺使用两层掩膜相同的技术效果，优是什么。
沈阳国科申请一种快速反复验证锂离子电池材料体系及工艺性能的方法...沈阳国科金能科技有限公司申请一项名为“一种快速反复验证锂离子电池材料体系及工艺性能的方法”的专利，公开号CN 118914871 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及新能源锂离子电池研究、制造及测试领域，具体为一种快速反复验证锂离子电池材料体系及工艺性能好了吧！
...申请晶圆键合方法及其功能衬底制备方法专利,提高直接键合工艺的良率金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆键合方法及其功能衬底的制备方法”的专利，公开号CN 118919403 A ,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示，本申请涉及半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种晶圆键合方等我继续说。
长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,简化制造工艺提高制造效率金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 1后面会介绍。 形成保护层于所述重布线层上；通过所述接触区域电连接所述第一基底与第二基底。本公开简化了半导体结构的制造工艺，提高了半导体结构的后面会介绍。
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青岛海存微电子申请磁存储结构及其制造方法专利,增大工艺窗口青岛海存微电子有限公司申请一项名为“磁存储结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118804668 A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本公开提供一种磁存储结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有底钉扎结构的磁存储器工艺可行性差和写入效率低的问题。该磁存储等会说。
...存储器阵列及其操作方法专利,节省制造工艺中的一张深N阱光罩方法，在N阱、第一和第二多晶硅栅极、源极和漏极施加各操作电压，以实现对P沟道SONOS存储器阵列的写入、擦除和读取操作。本发明的P沟道SONOS存储器阵列使用P型沟道和N阱，操作过程中N阱中加正压不影响P型衬底电压，因此不需要引入深N阱来隔离，在制造工艺中可节省一张深还有呢？
...公司掌握冷库围护系统节能隔热保温材料最前沿工艺技术及制造方法一站式地满足不同客户的个性化围护系统建设需求。目前公司已经掌握冷库围护系统节能隔热保温材料最前沿的工艺技术及制造方法，经过多年生产经验积累，在发泡工艺、材料配方、结构设计等方面具有一定的行业领先技术，产品在节能降耗、品质稳定、结构强度等方面具有优势。本文小发猫。
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振有电子申请面向HDI印制线路板制造的工艺参数自适应优化方法专利,...金融界2024年9月19日消息，天眼查知识产权信息显示，浙江振有电子股份有限公司申请一项名为“面向HDI印制线路板制造的工艺参数自适应优化方法“公开号CN202411129649.3,申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种面向HDI印制线路板制造的工艺参数自适应优化等我继续说。
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