怎么自己制作一个小型漏电保护器

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,降低半导体结构的漏电金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“公开号CN1等我继续说。 在形成栅极结构及保护层之后,采用氢离子铸合工艺对沟道层的表面进行钝化处理可以降低半导体结构的漏电。本文源自金融界

...接式晶闸管管芯及制作方法”专利,降低管芯在高温动态下测试的漏电流金融界2024 年8 月25 日消息,天眼查知识产权信息显示,黄山芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种压接式晶闸管管芯及制作方法“授权是什么。 不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护,降低管芯在高温动态下测试的漏电流;钼片钛镍银多层金属保护防止氧化,降低了热是什么。

新洁能取得功率半导体器件专利,阻止器件漏电终端保护区位于元胞区的外圈且环绕元胞区设置;位于终端保护区的第二导电类型体区内环绕第二类沟槽的外围设置有截止环结构;截止环结构好了吧! 本发明还公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的具有截止环结构的功率半导体器能够阻止器件漏电。本文源好了吧!

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